LPDDR4-4266 内存
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SK 海力士的新 1anm 技术将为手机提供超快的 LPDDR4-4266 内存
领先的 DRAM 芯片设计商和制造商 SK 海力士今天宣布了使用极紫外 (EUV) 设备制造内存芯片的下一次发展。使用这项技术，该公司将能够量产最新的第四代 10 纳米 DRAM …
领先的 DRAM 芯片设计商和制造商 SK 海力士今天宣布了使用极紫外 (EUV) 设备制造内存芯片的下一次发展。使用这项技术，该公司将能够量产最新的第四代 10 纳米 DRAM …
