三星Electronics 宣布已开始批量生产基于极紫外 (EUV) 技术的业界最小的 14 纳米 (nm) DRAM。这家科技巨头已将 EUV 层数增加到 5 层，为其 DDR5 解决方案提供领先的 DRAM 工艺，继三星于 2020 年 3 月出货的业界首个 EUV DRAM 之后。
高级副总裁兼 DRAM 产品与技术主管 Jooyoung Lee 表示：
通过开拓关键的图案化技术创新，我们引领 DRAM 市场近三年。今天，三星正在通过多层 EUV 设置另一个技术里程碑，该技术实现了 14 纳米的极端小型化——这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在这一进步的基础上，我们将通过充分满足 5G、AI 和 Metaverse 的数据驱动世界中对更高性能和容量的需求，继续提供最具差异化的内存解决方案。
随着 DRAM 继续缩小到 10 纳米范围，EUV 技术对于提高图案精度以实现更高的产量和更高的性能变得越来越重要。该公司通过在其 14nm DRAM 上应用五个 EUV 层，已经能够实现最高的位密度，同时将整体晶圆生产率提高或多或少 20%。此外，与上一代 DRAM 节点相比，14nm 工艺还能够帮助将功耗降低约 20%。
三星的 14 纳米 DRAM 将有助于利用最新的 DDR5 标准实现高达 7.2 吉比特每秒 (Gbps) 的前所未有的速度。7.2Gbps的速度是DDR4最高3.2Gbps速度的两倍多。这家科技巨头打算扩大其 14 纳米 DDR5 产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。三星 还计划将其 14nm DDR5 芯片密度扩展到 24Gb，以满足全球 IT 系统的数据需求。
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