三星首个采用 MBCFET 的 3nm GAA 工艺节点将提供以下功能:
- 面积减少高达 35%。
- 与 5nm 工艺相比,性能提高了 30%。
- 与 5nm 工艺相比,功耗降低 50%。
- 除了功率、性能和面积 (PPA) 的改进,随着其工艺成熟度的提高,3nm 的逻辑良率正在接近与目前量产的 4nm 工艺相似的水平。
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三星首个采用 MBCFET 的 3nm GAA 工艺节点将提供以下功能:
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