领先的 DRAM 芯片设计商和制造商 SK 海力士今天宣布了使用极紫外 (EUV) 设备制造内存芯片的下一次发展。使用这项技术，该公司将能够量产最新的第四代 10 纳米 DRAM 产品，这些产品比上一代工艺更密集。该公司将继2019 年推出的 1znm 之后的新节点称为“1anm” 。与 1z 相比，1a 技术的更高密度还将使该公司能够从相同的晶圆尺寸中提取 25% 以上的芯片。
在改进方面，新的 1anm 将使 LPDDR4 内存达到 4266Mbps 的速度，这迄今为止仅与 LPDDR4X 芯片相关。除了更高的速度，功耗预计也将下降 20%。当您将易于批量生产的特性添加到这些功能中时，新的 1a 工艺将证明对智能手机有用。其中一些带有底层 1anm 芯片的手机预计将在今年下半年上市。
除了在 LPDDR4 中使用 1anm 用于智能手机内部，SK 海力士还希望在其去年宣布的DDR5 产品中使用该工艺。
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