三星已开始批量生产其最新的 1 TB 第 8 代 V-NAND 内存。据这家韩国公司称，这项技术提供了业界最高的位密度，并且在 1 TB 时还提供了迄今为止最高的存储容量。它表示，这将为全球下一代企业服务器提供更大的存储空间。
三星电子闪存产品和技术执行副总裁 SungHoi Hur 为公司提供评论时说：
“随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数，三星采用其先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰. 我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”
借助三星最新一代的 V-NAND 内存，客户可以期待高达每秒 2.4 Gbps 的输入和输出速度，高于第七代的 2 Gbps。三星表示，这种速度提升将有助于满足 PCIe 4.0 和 PCIe 5.0 的性能要求。
除了用于企业服务器以扩展可用存储外，三星表示，第 8 代 V-NAND 还将用于汽车市场并提供所需的可靠性。
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