最近收购了英特尔 NAND 业务的韩国公司 SK Hynix宣布推出基于 1anm 工艺的新型 DRAM 芯片。该工艺基于 10 纳米工艺，并进行了有利于内存制造的调整。这导致了高密度 24Gb 模块，比上一代增加了 50%。这些 24Gb 模块是有史以来最密集的内存模块。
这些模块很快就会用于 48GB 和 96GB 内存条。但是，这些是针对数据中心的，通常不会在您的战斗站中使用。即使是这样，您仍然必须与芯片短缺竞争，而这场战斗您可能赢不了。当然是微软、亚马逊和谷歌将为他们的云服务提供任何可用的资源。请注意，这些模块的额定单位是 Gb，而不是 GB。因此，您可以期望 96GB 的记忆棒上有 32 个 24Gb 模块。
新闻稿不包括基准测试，但他们声称性能比2018 年宣布的上一代提高了 33% 。这些芯片的密度为 16Gb，宣传的传输速率为 5200Mbps。这意味着您可以期望从这些新模块中看到超过 6900Mbps 的速度。此外，广告中还宣传最多可降低 25% 的功耗。根据新闻稿，这些速度将使他们能够更好地启用人工智能、机器学习和元界应用程序等热门技术。
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